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10月 三重工場開設

大容量メモリ・大規模ゲートアレイなどを試作・量産するため、三重工場を開設

EPROM製品初出荷

9月 150㎜（2番館）操業開始

7月 200㎜（3番館）操業開始

世界初スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発

三重工場でISO9001（1994年版）認証取得

三重工場でISO14001（1996年版）認証取得

150㎜（2番館）リニューアル（8インチ化）

90㎚Cu多層配線のプロセス量産開始

世界初ハイブリッド免振構造の300㎜ウエーハ対応の新棟建設（2005年4月より90㎚で稼動）

米国ラティスセミコンダクター社からFPGA製品の製造を受託

90㎚テクノロジーのロジックLSI生産拠点、三重工場300㎜第1棟を稼働開始

 9月 NAS電池導入

300㎜ウェーハ対応の第2棟建設（2007年4月より65㎚で稼動）

 9月 モシス社が特許を持つ組み込みメモリ技術である「1T-SRAM(R)」を、65㎚LSI製造プロセスでライセンスする契約を締結

65㎚テクノロジー対応の三重工場300㎜第2棟を稼働開始

濃厚フッ酸排水から高純度蛍石を生成回収成功

 3月 富士通LSI事業部を分社化し富士通マイクロエレクトロニクス株式会社設立

 8月 ISO/TS16949取得

本社を横浜市（港北区新横浜）に移転

 4月 富士通セミコンダクター株式会社に社名変更

スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始

放流水監視用に飼育している「めだか」の繁殖に成功

 4月 液化天然ガス（LNG）サテライト基地設置

 9月 DDCトランジスタ採用製品の量産を開始

12月 DDCテクノロジーを適用したロジック回路とフラッシュメモリセルを混載して製造する技術を開発

 12月 三重富士通セミコンダクター（株）設立。台湾UMC社が資本参加

 4月 SuVolta社の超低消費電力技術の知的財産権を取得

11月 世界初の半導体製造ライン（前工程）に旋回流誘引型成層空調を採用

 4月 Kilopass社と三重富士通セミコンダクターがテクノロジー開発のパートナーシップを発表

 4月 Deeply Depleted Channel（DDC）によるニア／サブスレッショルド技術でエネルギー消費を低減

 8月 カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ「NRAM」のライセンス供与および商品化に向けた共同開発で合意

品質マネジメントシステム(ISO9001:2015)認証取得

自動車産業向け品質マネジメントシステム(IATF16949:2016)認証取得

 1月 本社および新横浜デザインセンターを横浜に統合

 3月 環境マネジメントシステム(ISO14001:2015) MIFS単独認証取得

 9月 UMCが三重富士通セミコンダクターの株式100%取得

 10月 ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社
（United Semiconductor Japan Co., Ltd.）に社名変更

 6月 情報セキュリティマネジメントシステム(ISO/ICE 27001:2013)認証取得

 6月 事業継続マネジメントシステム(ISO22301:2019)認証取得

 4月 デンソーの車載パワー半導体の生産において協業

 7月 労働安全衛生マネジメントシステム(ISO45001:2018)認証取得

 4月 情報セキュリティマネジメントシステム(ISO/ICE 27001:2022)認証取得

 5月 デンソーの車載パワー半導体の量産出荷を開始