ワイヤレス通信は急速に進むIoT社会のキーワードです。
USJCの90㎚ - 40㎚テクノロジーにはRF設計に必要なデバイス(パラクター、インダクター、MOM/MIMキャパシタなど)およびPDKが準備されており、お客様に最適なRFソリューションを提供します。
| Device | Detail | CS100A_LL | CS200L | CS250L | C55LP | C40LP |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Technology node | 90㎚ | 65㎚ | 55㎚ | 55㎚ | 40㎚ | |
| Transistor | Core SVT, LVT/uLVT | 〇 / - | 〇 / - | 〇 / - | 〇 / 〇 | 〇 / 〇 |
| 2.5V SVT, (1.8V UD/3.3V 0D) | - | - | - | 〇 | 〇 | |
| 2.5V LVT | 〇 | - | - | - | - | |
| 1.8V / 3.3V | - / 〇 | 〇 / 〇 | 〇 / 〇 | - | - | |
| 5.0V LDMOS | - | - | - | 〇 | 〇 | |
| Capacitor | MIM | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | - |
| MOM | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |
| Varactor | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |
| Inductor | Ultra Thick Metal for High-Q Inductor | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 |
| Symmetric, Asymmetric, center-tapped type |
〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |
| Diode | ESD Diode | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | - |
USJCは、5G、車載レーダー等でも活用される55㎚ミリ波ソリューションを提供します。
C55LP ミリ波対応素子
| Device | Detail |
|---|---|
| Transistor | 1.2V uLVT |
| 2.5V (0D33, UD18) | |
| Coplanar TL (Z0 = 50 ohm) | Straight, Bend, T-junction |
| Open/Short stub | |
| Straight (M1-M4 vacant) | |
| Microstrip TL (Z0 = 50 ohm) | Straight |
| Decap Cell | MIM + MOM |
| Capacitor | MIM |
| MOM | |
| 1.2V Varactor (Differential) | |
| Inductor | Fixed Model |
| Transformer | Fixed Model |
| Resistor | Silicide Poly (n/p-type) |
| Non-silicide Poly (n/p-type) | |
| Diode | Schottky Barrier Diode |
| ESD Diode |